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北京科技大學鄭新和教授來校講學

來源: 作者: 發布時間:2020-11-11 15:48:04 瀏覽次數: 【字體:

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啟航網訊    11月9日上午,應學校邀請,北京科技大學鄭新和教授在F315室作了題為“高品質半導體III族氮化物薄膜的原子層沉積與應用”的學術報告。報告會由副校長何興道教授主持,測試與光電工程學院師生參加了此次報告會。

鄭新和教授首先介紹了以氮化鎵(GaN)為代表的III族氮化物半導體及其低維結構的國內外發展現狀,以及在電子封裝工程中的應用;其次,報告詳細介紹了具有低溫生長、覆膜性好以及厚度可以嚴格控制的原子層沉積(ALD)技術,及其用于III族氮化物的外延生長;最后,報告重點介紹了在硅(Si)、石墨烯/Si、二硫化鉬(MoS2)/Si、導電玻璃、藍寶石等襯底或模板上開展III族氮化物(包括AlN、GaN、InN)的等離子體原子沉積(PEALD)的系統研究和應用。

鄭新和教授的報告深入淺出,講解思路清晰,內容豐富,引起了在座師生的極大興趣。講座結束后,鄭教授與現場師生進行了互動討論,氣氛十分熱烈,大家紛紛針對報告內容和自己科研過程中遇到的問題向鄭教授請教,鄭教授都作了詳細的解答,讓大家受益匪淺,贏得了在場師生的一致贊譽和熱烈掌聲。

最后,副校長何興道教授對報告會進行了總結發言,對鄭教授所作的精彩報告表示感謝,希望在以后常來我校開展學術交流指導,提升我校師生的科研能力。

終審:黃成
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